为什么说存储芯片的周期底部已过?

⭐发布日期:2024年09月24日 | 来源:白夜追综

⭐作者:安东尼·德科内 责任编辑:Admin

⭐阅读量:526 评论:4人

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存储芯片具有很强的大宗商品属性。

大宗商品的一大特点就是标准化程度高,价格上对下游市场需求较为敏感。因此存储芯片的周期波动性往往要比半导体行业的整体要高很多。

从周期长度上看,存储芯片的历史价格上行期一般为 4-8 个季度,下行期 5-11 个季度,也就是不超过三年。

截止目前,存储市场景气度下行已持续近两年半,接下来有望很快迎来上行周期。

根据WSTS的预测,存储2023-2024年市场规模为840.4亿美元和1203.3亿美元,分别同比-35%,+43%

凭什么说存储芯片的周期底部已过呢?在这里,我们就可以用到周期股的分析方法,也就是“价格、库存、需求、供给”四维分析法。

一,价格

DRAM与NAND价格2Q23仍有小幅下降,但已呈现逐步筑底的趋势,Trendforce预计3Q23 DRAM 跌幅 0%~5%,降幅较1Q23的下降13%已明显收窄。

对于短期内DRAM和NAND芯片的价格变动,可以参考 TrendForce对3Q23 产品价格的预估:

①DRAM 方面,受益于 DRAM 供应商陆续启动减产,以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力,预期 23Q3DRAM 均价跌幅将会收敛至 0~5%,其中 PC DRAM、Server DRAM、Moblie DRAM、Graphics DRAM、Consumer DRAM 的 23Q3 均价均预计环比下跌 0~5%;

②NAND Flash 方面,同样受惠于原厂减产幅度持续扩大,与季节性旺季需求支撑,预估 23Q3 整体 NAND Flash 均价下跌收敛至 3~8%,其中 NAND Flash Wafer 均价预估将率先上涨,环比增长 0~5%; eMMC、UFS,其合约均价预计跌幅仍有约 8~13%;Enterprise SSD 均价跌幅将收敛至 5~10%;Client SSD 均价将环比下跌 8~13%。

9月13日最新消息显示,三星近期与客户签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20%。

二,库存

对比海外存储大厂海力士与美光的库存,自22年初水位一直增长,反应过去存储一直处于下行周期。

根据 Bloomberg 数据,主要存储原厂库存水平以及库存周转天数仍在上涨,季度环比上看,上涨幅度已逐步趋缓

美光2Q23数据上看,若加回存货减值影响,则2Q23库存较1Q23已开始下降,美光2Q23存货周转天数为168天,目标值在120天。

同时三星、海力士均认为 2H23库存正常化速度将加快,市场环境将得到改善。

供给端的产能缩减将在下半年开始逐步反应,预计下半年原厂库存将开始下降。

三,需求

需求端情况主要取决于移动端、PC 以及服务器市场需求量,服务器市场需求已成为市场增长的主要驱动因素

移动端与PC机已经度过渗透率快速提升的红利期,终端产品出货量上已逐步见顶,据IDC数据,手机与PC出货量分别从16年与14年开始整体呈现下滑趋势,未来移动端与PC市场需求增长将主要来自于单机容量的提升

但移动端与PC存量市场毕竟较大,因此,移动设备、PC与服务器市场需求为存储周期中的重点关注市场。

从行业景气度角度来看:

移动端:IDC 预测 2023 年全球智能手机出货量将下降 3.2%,但有望于2024年实现良好复苏,预计出货量将增长6%,未来4年市场也将呈持续增长趋势。

笔电:根据 TrendForce 数据,全球笔电市场于23Q实现快速复苏并持续增长,23Q2全球笔电出货量将达40.5百万台,同比增长15.7%,到23Q4出货量将增长到44.7百万台。

重点说下服务器市场。

服务器市场从2002年至今处于持续增长的趋势,IDC数据,全球服务器出货量从2002年的445万台增长至2022年的 1495 万台,2002~2022 年 CAGR 达到 6%。

IDC预计2023出货量增速将下滑,2024年有望重回稳健增长轨道。

同时,行业整体呈现出AI服务器等高算力型号渗透率增长超过传统型号的趋势,预计2023-2026年AI服务器渗透率 CAGR 将达到 26.05%,且由于 AI 服务器对软硬件要求高,对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。

服务器市场将迎来销量提升与单机容量提升的双驱动,成为存储市场下游需求的主要驱动因素

华泰证券预计23/24年DRAM与NAND bit需求增速分别为8.1%/14.4%与9.6%/20.0%。

四,供给

主要厂商稼动率资本开支缩减明显,Trendforce数据,三星、美光、SK 海力士 2Q23 稼动率从22年的接近满载分别下滑至77%、74%、82%,Bloomberg数据,海力士1Q23资本开支同比下降43%,美光2Q23资本开支同比下降40%。

根据美光 FY23Q3 法说会信息,其近期将 DRAM和NAND晶圆开工率进 一步减少至接近 30%,预计减产将持续到 2024 年,这或也将对应三星、海力士等存储大厂 FY23Q2 的晶圆开工率情况。

华泰证券预计23/24年DRAM与NAND bit 供给增速分别为4.6%/8.0%与6.7%/14.8%。

行业资本开支可为供需关系变动提供前瞻指引。据IDC与 Bloomberg 数据,资本开支缩减后约3个季度后供给充足率开始出现拐点,同时价格开始上行。

总结

供给端,原厂稼动率与资本开支大幅缩减,下半年开始减产效果逐渐显现。需求端,23 年各终端整体疲软态势持续,24年有望在手机终端需求复苏、手机与服务器单机密度持续提升下带动整体需求回暖。存储价格也已筑底,CFM报价显示部分品类价格已出现上涨,存储周期拐点将近,下半年市场回暖有望开启新一轮上行。2024年市场规模有望同比增长43%至1203.3亿美元。而A股中的相关存储芯片标的也有望有所表现。

参考资料:华泰证券《存储:底部已过,AI 推动行业进入新周期》

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Kunkel

2秒前:三,需求需求端情况主要取决于移动端、PC 以及服务器市场需求量,服务器市场需求已成为市场增长的主要驱动因素。

IP:95.17.9.*

(박윤식)

1秒前:9月13日最新消息显示,三星近期与客户签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20%。

IP:58.58.9.*

中村れい子

3秒前:从行业景气度角度来看:移动端:IDC 预测 2023 年全球智能手机出货量将下降 3.

IP:83.46.4.*

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