海外半导体设备巨头巡礼系列：探寻泛林-LAM-成为刻蚀设备龙头的技术&成长逻辑
⭐发布日期：2024年09月20日 | 来源:老撕鸡
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今天分享的是【海外半导体设备巨头巡礼系列：探寻泛林-LAM-成为刻蚀设备龙头的技术&成长逻辑】 报告出品方：东吴证券
泛林半导体（Lam Research）以刻蚀设备起家，通过自主研发和多次并购成长为半导体设备行业巨头。泛林半导体于1980年成立，1984年在美国纳斯达克证券交易所上市。公司早期深耕刻蚀设备，2006年后，公司开始通过并购的方式外扩产品线，自此公司形成以刻蚀、薄膜沉积、清洁为核心的三大主营业务板块。
公司产品围绕刻蚀、薄膜沉积、清洗三大设备领域布局，在刻蚀设备和CVD薄膜沉积设备市场占据领先地位。在刻蚀市场，公司刻蚀工艺包括导体（金属）刻蚀、电介质刻蚀、硅通孔刻蚀，公司2021年全球刻蚀设备市占率约为46%，是全球最大的刻蚀设备供应商。在薄膜沉积市场，公司沉积工艺包括ALD、CVD、ECD，公司2021年CVD设备市占率约为23%，位列第二；ECD设备市占率超90%，垄断市场；ALD设备市占率仅为9%，位列市场前五。在清洗市场，公司主要应用湿法和干法（等离子斜面清洗）两种清洗技术，公司2021年占据全球清洗设备市场份额12%，位列第四。
先进制程+AI发展是行业周期上行的核心驱动力：AI大模型的数据计算量激增，驱动HBM异军突起。TSV（硅通孔技术）是HBM核心工艺，成本占比接近30%。在TSV成本构成中，硅通孔刻蚀成本占比为44%，是TSV工艺的主要成本。先进制程带动刻蚀设备和薄膜沉积设备需求量提升，逻辑器件方面，随着国际上先进芯片线宽向 7m、5m及更先进工艺的方向升级，受光刻机波长限制，芯片制造过程中需要结合刻蚀和薄膜设备采用多重模板工艺。存储器件方面，3D NAND逐渐替代2D NAND，3D NAND 的叠层结构对刻蚀设备功能要求更高，同时沉积设备价量比重上升8pct。
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董子鸣
3秒前：TSV（硅通孔技术）是HBM核心工艺，成本占比接近30%。
IP:36.72.3.*
马雷克·瓦苏特
9秒前：存储器件方面，3D NAND逐渐替代2D NAND，3D NAND 的叠层结构对刻蚀设备功能要求更高，同时沉积设备价量比重上升8pct。
IP:40.26.6.*
Jenson
3秒前：免责声明:以上报告均系本平台通过公开、合法渠道获得，报告版权归原撰写/发布机构所有，如涉侵权，请联系删除;资料为推荐阅读，仅供参考学习，如对内容存疑，请与原撰写/发布机构联系返回搜狐，查看更多
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